10月27日晚間,宏微科技(688711)公告稱(chēng),控股子公司常州芯動(dòng)能半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯動(dòng)能”)與國(guó)內(nèi)某新能源汽車(chē)頭部客戶(hù)簽訂了《零部件采購(gòu)合同書(shū)》,將為該車(chē)企供應(yīng)SiC MOSFET器件。
今年8月,芯動(dòng)能獲得前述新能源車(chē)企定點(diǎn)通知書(shū),被確定為該客戶(hù)SiC MOSFET器件項(xiàng)目供應(yīng)商。伴隨著本次采購(gòu)合同的簽署,雙方合作再進(jìn)一步。
根據(jù)公告,前述新能源車(chē)企為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高端自主汽車(chē)品牌,本次合作體現(xiàn)了客戶(hù)對(duì)宏微科技研發(fā)能力、供應(yīng)鏈能力及產(chǎn)品質(zhì)量的認(rèn)可,將進(jìn)一步擴(kuò)大公司在SiC產(chǎn)品領(lǐng)域的配套份額,預(yù)計(jì)將對(duì)經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)產(chǎn)生積極影響。
宏微科技同時(shí)指出,采購(gòu)合同為框架性約定,不構(gòu)成實(shí)質(zhì)性訂單,具體交易細(xì)節(jié)將在后期正式訂單中另行約定,合同履行情況將受宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)形勢(shì)、行業(yè)政策及市場(chǎng)環(huán)境變化等因素影響。
宏微科技專(zhuān)注于以IGBT、FRD為核心的功率半導(dǎo)體芯片、單管及模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能、工業(yè)控制(變頻器、伺服電機(jī)、UPS及各種開(kāi)關(guān)電源等)、家電消費(fèi)等領(lǐng)域。
今年以來(lái),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),不同應(yīng)用領(lǐng)域分化明顯。在供給端,行業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張節(jié)奏加快,尤其是在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,眾多企業(yè)加速布局SiC、GaN產(chǎn)線(xiàn),但部分中低端產(chǎn)品領(lǐng)域已出現(xiàn)階段性產(chǎn)能過(guò)剩,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇;在需求側(cè),傳統(tǒng)消費(fèi)電子領(lǐng)域需求疲軟,而新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域需求增長(zhǎng),成為拉動(dòng)行業(yè)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?/p>
在發(fā)展戰(zhàn)略方面,宏微科技堅(jiān)持“一體兩翼”思路,其中“一體”指夯實(shí)硅基IGBT主營(yíng)業(yè)務(wù);“兩翼”則指重點(diǎn)布局SiC和GaN業(yè)務(wù),積極拓展新型應(yīng)用場(chǎng)景。
目前,宏微科技在SiC領(lǐng)域的部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)小批量出貨,自研車(chē)規(guī)模塊工藝及光伏用模塊獲頭部客戶(hù)認(rèn)可,后續(xù)將加快產(chǎn)品驗(yàn)證與交付,進(jìn)一步拓展新能源汽車(chē)高壓平臺(tái)、新能源發(fā)電、數(shù)據(jù)中心電源等場(chǎng)景的應(yīng)用。在GaN領(lǐng)域,公司自主研發(fā)的核心芯片完成內(nèi)部驗(yàn)證并進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段,并開(kāi)拓AI服務(wù)器電源、人形機(jī)器人驅(qū)動(dòng)等市場(chǎng)。
在前述戰(zhàn)略驅(qū)動(dòng)下,宏微科技上半年業(yè)績(jī)指標(biāo)明顯修復(fù),其中營(yíng)業(yè)收入為6.8億元,同比增長(zhǎng)6.86%;凈利潤(rùn)297.8萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)18.45%;主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率15.75%,呈穩(wěn)步提升態(tài)勢(shì)。
今年上半年,宏微科技與華虹宏力簽署五年期《戰(zhàn)略合作諒解備忘錄》,雙方聚焦IGBT、FRD等核心產(chǎn)品領(lǐng)域深化協(xié)作,通過(guò)聯(lián)合組建研發(fā)項(xiàng)目組,集中力量推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新與平臺(tái)優(yōu)化。公司表示,前述合作將強(qiáng)化了以設(shè)計(jì)與模塊封裝為核心的“輕資產(chǎn)+”模式競(jìng)爭(zhēng)力,通過(guò)技術(shù)、產(chǎn)能、成本的多維躍升,將直接推動(dòng)公司IGBT、SiC MOSFET等產(chǎn)品性能對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平。